Amplificador fet teoria

Amplificador fet teoria

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EletrônicaEletrônica básica - Teoria Amplificação com FET

Amplificação com FET

Amplificação com FET © SENAI-SP, 2003

Trabalho editorado pela Gerência de Educação da Diretoria Técnica do SENAI-SP, a partir dos conteúdos extraídos da apostila homônima Amplificação com FET - Teoria. SENA I- DN, RJ, 1986.

CapaGilvan Lima da Silva DigitalizaçãoUNICOM - Terceirização de Serviços Ltda

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Amplificação com FET

Sumário

Introdução 5 Amplificação com FET7 Referências bibliográficas 17

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Introdução

Desde a sua descoberta os transistores de efeito de campo tem se tornado cada vez mais populares.

A principal razão para esta popularidade, e conseqüente crescimento da utilização, reside na altíssima impedância de entrada dos transistores FET. Esta característica torna os FETs praticamente ideais para a utilização como amplificador de entrada em receptores de rádio, osciloscópios, multímetros e outros instrumentos de precisão.

Esta unidade tratará da polarização e amplificação com FET, fazendo ainda uma comparação de características com os estágios amplificadores a transistor bipolar, visando capacita-lo à manutenção neste tipo de circuito, a partir do conhecimento do seu princípio de funcionamento.

Pré-requisitos

• Para ter sucesso no desenvolvimento dos conteúdos e atividades desta unidade você já deverá ter conhecimentos relativos a: • Curvas características

• Ponto de funcionamento

• Transistores de efeito de campo

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Amplificação com FET

A amplificação de sinais é uma das aplicações mais importantes dos transistores de efeito de campo.

Os estágios amplificadores com FET são empregados principalmente quando se necessita de alta impedância de entrada, citando-se por exemplo: • Entrada de sinal dos osciloscópios

• Estágio inicial de sintonizadores de FM

Polarização do FET para amplificação

A polarização do FET visa estabelecer as condições de funcionamento do circuito. Toma-se como exemplo um J-FET CANAL N em um circuito em ‘’fonte’’ comum.

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Polarização de dreno O potencial do terminal dreno deve ser positivo em relação ao terminal fonte.

Esta condição é obtida pelo uso de um resistor de dreno, semelhante ao resistor de coletor nos transistores bipolares NPN.

Polarização da porta Para o correto funcionamento, o FET de junção canal N deve ter o terminal porta (G) polarizado negativamente em relação ao terminal fonte (S).

O método mais usual para a obtenção desta polarização é denominado de autopolarização ou polarização por fonte.

A polarização por fonte baseia-se no fato de que a tensão entre dois pontos é relativa. Se a porta deve ser negativa em relação ao terminal fonte, significa que o terminal fonte deve ser positivo em relação a porta.

A polarização por fonte, também conhecida como autopolarização, é exatamente isto: ao invés de fazer a porta negativa em relação ao fonte, torna-se o fonte positivo em relação a porta.

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A figura abaixo mostra como a autopolarização é obtida.

O resistor de porta RG tem alto valor (para garantir a alta impedância de entrada) mas o potencial desenvolvido na porta é muito pequeno (devido a corrente de fuga IGS) de forma que a porta pode ser considerada a potencial de terra (nulo).

VG = 0V

A circulação da corrente de dreno no resistor de fonte (RF) provoca uma queda de tensão, tornando o terminal fonte positivo em relação ao terra .

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